APPARATUS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME

• Main Authors: JEONG PIL SEONG, JI SANG-HYUN, HAN YONG WOO, LEE SONG YEON
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 04.11.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus of manufacturing a semiconductor element, and to provide a method of manufacturing a semiconductor element using the same.SOLUTION: Degradation of the electrical characteristics of a semiconductor element is suppressed and prevented, by performing dehydrogenation while controlling a heat source unit so that a workpiece, where a processed layer containing hydrogen is formed on a substrate, is irradiated with light over two stages. In other words, the ultraviolet light (UV) irradiated in the first stage induces a chemical reaction for breaking the Si-H bond in the processed layer, and the infrared light (IR) irradiated in the second stage induces a thermal reaction for vaporizing the hydrogen separated from the Si-H bond. When performing both a chemical reaction for cutting the bond between hydrogen and other ion in the processed layer, and a thermal reaction for vaporizing hydrogen, hydrogen in the processed layer can be removed easily at a lower temperature than the temperature when hydrogen is vaporized from the processed layer by using only the thermal reaction.SELECTED DRAWING: Figure 4 【課題】半導体素子の製造装置及びこれを用いた半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、基板の上に水素を含有する被処理層が形成された被処理物に２段階に亘って光が照射されるように熱源ユニットを制御しながら脱水素化を行うことにより、水素による半導体素子の電気的な特性の低下が抑制及び防止される。すなわち、１段階目に照射される紫外線（ＵＶ）は被処理層内のＳｉ−Ｈ結合を切断する化学的な反応を誘導し、２段階目に照射される赤外線（ＩＲ）系の光はＳｉ−Ｈ結合から分離された水素を気化する熱伝反応を誘導する。このように、被処理層内において水素と他のイオンとの間の結合を切断する化学的な反応及び水素を気化する熱的反応が共に行われることにより、熱的反応のみを用いて被処理層から水素を気化するときの温度よりも低い温度で容易に被処理層内の水素を除去することができる。【選択図】図４