SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: ARAKAWA MIKIO, YOSHIZAKI SATOSHI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 13.10.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an art favorable to refinement of an impurity region formed in a substrate.SOLUTION: A semiconductor device manufacturing method comprises the steps of: forming a first resist film on a substrate and implanting an impurity into the substrate by using a first resist pattern obtained by exposing and developing a part of the first resist film; and removing the first resist pattern to form a second resist film on the substrate and implanting an impurity in the substrate by using a second resist pattern obtained by exposing and developing a part of the second resist film. The first resist pattern included a plurality of first line patterns arranged along a predetermined direction in plan view, and the second resist pattern includes a plurality of second line patterns which are arranged along the predetermined direction in plan view and each of which is located between places where the first line patterns adjacent to each other are formed.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】基板に形成される不純物領域を微細化するのに有利な技術を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板の上に第１レジスト膜を形成し、その一部を露光して現像することにより得られた第１レジストパターンを用いて前記基板に不純物を注入する工程と、前記第１レジストパターンを除去して前記基板の上に第２レジスト膜を形成し、その一部を露光して現像することにより得られた第２レジストパターンを用いて前記基板に不純物を注入する工程と、を有し、前記第１レジストパターンは、前記平面視において所定の方向に沿って配された複数の第１ラインパターンを含んでおり、前記第２レジストパターンは、前記平面視において前記所定の方向に沿って配され且つ互いに隣り合う前記第１ラインパターンのそれぞれが形成されていた場所の間に各々が位置する複数の第２ラインパターンを含む。【選択図】図１