SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

• Main Authors: ABIKO YUYA, IIDA TETSUYA, ICHIMURA AKIO, EGUCHI SOJI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 23.09.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To form a super junction structure having a high aspect ratio.SOLUTION: A semiconductor device manufacturing method comprises the steps of: forming an epitaxial layer EPI in a plurality of layers by employing a "trench fill method"; and forming trenches, respectively, at the stages of forming the plurality of layers. That is, as shown in FIG.3, for example, at the stage of forming the epitaxial layer EPI1, a trench TR1 is formed in the epitaxial layer EPI1, and subsequently, at the stage of forming the epitaxial layer EPI2, a trench TR2 is formed in the epitaxial layer EPI2, and at the stage of forming the epitaxial layer EPI3, a trench TR3 is formed in the epitaxial layer EPI3.SELECTED DRAWING: Figure 3 【課題】高アスペクト比を有するスーパージャンクション構造を形成する。【解決手段】「トレンチフィル法」を採用しながら、エピタキシャル層ＥＰＩを複数層に分けて形成し、それぞれの複数層を形成した段階で、それぞれの複数層にトレンチを形成する。すなわち、例えば、図３に示すように、エピタキシャル層ＥＰＩ１を形成した段階で、このエピタキシャル層ＥＰＩ１にトレンチＴＲ１を形成し、その後、エピタキシャル層ＥＰＩ２を形成した段階で、このエピタキシャル層ＥＰＩ２にトレンチＴＲ２を形成し、エピタキシャル層ＥＰＩ３を形成した段階で、このエピタキシャル層ＥＰＩ３にトレンチＴＲ３を形成する。【選択図】図３