ISOTROPIC ATOMIC LAYER ETCHING FOR SILICON OXIDES USING NO ACTIVATION

• Main Authors: PILYEON PARK, FAISAL YAQOOB, BERRY IVAN L III
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 11.07.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

SOLUTION: The invention provides methods for controlled isotropic etching of layers of silicon oxide or germanium oxide with atomic scale fidelity, in which the methods make use of activation of an oxide surface by NO, and once activated, a fluorine-containing gas or vapor etches the activated surface, and etching is self-limiting because the fluorine species does not spontaneously react with the un-activated oxide surface once the activated surface is removed, these methods may be used in interconnect pre-clean applications, gate dielectric processing, manufacturing of memory devices, or any other applications where accurate removal of one or multiple atomic layers of material is desired.SELECTED DRAWING: Figure 1 【解決手段】 原子スケールの忠実性でシリコン酸化物又はゲルマニウム酸化物の層を制御方式で等方的にエッチングするための方法が提供される。方法は、ＮＯによる酸化物表面の活性化を活用する。活性化されたら、その活性化表面を、フッ素含有ガス又はフッ素含有蒸気がエッチングする。活性化表面が除去されるとフッ素種が非活性化酸化物表面と自発的に反応することはないゆえに、エッチングは自己制限性である。これらの方法は、相互接続の前洗浄用途、ゲート誘電体の処理、メモリデバイスの製造、又は１枚の若しくは複数枚の材料原子層の正確な除去が所望される他の用途に使用することができる。【選択図】図１