FERROELECTRIC CRYSTAL FILM AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

• Main Authors: HATA KENJIRO, IIZUKA DAISUKE, HONDA YUJI, KIJIMA TAKESHI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 28.04.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a ferroelectric crystal film which achieves good transfer of orientation of a seed-crystal film and has film-growth rate fit for mass production.SOLUTION: A method for manufacturing a ferroelectric crystal film comprises the steps of: forming a seed-crystal film 14 on a substrate 10 by subjecting epitaxial growth through sputtering; forming, on the seed-crystal film, an amorphous film including ferroelectric material by a spin coating method; and heating the seed-crystal film and the amorphous film under an oxygen atmosphere to oxidize and crystallize the amorphous film, thereby forming a ferroelectric-coated sintered crystal film 15.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】種結晶膜の配向が良好に転写され、かつ量産に適した成膜速度を有する強誘電体結晶膜の製造方法を提供する。【解決手段】基板１０上に種結晶膜１４をスパッタリングによりエピタキシャル成長させて形成し、前記種結晶膜上に強誘電体材料を含むアモルファス膜をスピンコート塗布法により形成し、前記種結晶膜及び前記アモルファス膜を酸素雰囲気で加熱することにより、前記アモルファス膜を酸化して結晶化することで強誘電体塗布焼結結晶膜１５を形成することを特徴とする強誘電体結晶膜の製造方法である。【選択図】 図１