SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: ISHII MASAHITO
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 21.04.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PULSE TECHNIQUE; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device capable of reducing power consumption by reducing the number of transistors.SOLUTION: A semiconductor device is configured by a first transistor 100, a second transistor 101, a third transistor 104, a fourth transistor 105, a fifth transistor 106, a sixth transistor 107, a first inverter 102, a second inverter 103, an input terminal 21, an output terminal 22, a reset terminal 23, and a set terminal 24. By using the first transistor 100 and the second transistor 101 with a high-purity oxide semiconductor layer characterized by an extremely small off current, a flip-flop that is a semiconductor device can be achieved without using a latch circuit.SELECTED DRAWING: Figure 7 【課題】トランジスタの数を削減することにより、消費電力を低減した半導体装置を提供する。【解決手段】第１のトランジスタ１００と、第２のトランジスタ１０１と、第３のトランジスタ１０４と、第４のトランジスタ１０５と、第５のトランジスタ１０６と、第６のトランジスタ１０７と、第１のインバータ１０２と、第２のインバータ１０３と、入力端子２１と、出力端子２２と、リセット端子２３とセット端子２４とにより構成され、オフ電流が極めて小さいという特徴を有する高純度の酸化物半導体層の第１のトランジスタ１００と第２のトランジスタ１０１と用いることにより、ラッチ回路を用いることなく半導体装置であるフリップフロップを実現することができる。【選択図】図７