SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: KUME IPPEI, TAKEUCHI KIYOSHI, HASE TAKU, NAGUMO TOSHIHARU
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 04.04.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the performance of a semiconductor device.SOLUTION: A semiconductor device has: a substrate SUB composed of silicon; a semiconductor layer SL1 formed on the substrate SUB and composed of a p-type nitride semiconductor; and a transistor TR1 formed on the semiconductor layer SL1 and that includes a channel layer CH. In addition, the semiconductor device has: an n-type source region SR1 formed in the channel layer CH; and an n-type drain region DR1 formed in the channel layer CH so as to be separated from the source region SR1 in a plan view. Each of the source region SR1 and the drain region DR1 is contacted with the semiconductor layer SL1.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】半導体装置の性能を向上させる。【解決手段】半導体装置は、シリコンからなる基板ＳＵＢと、基板ＳＵＢ上に形成されたｐ型の窒化物半導体からなる半導体層ＳＬ１と、半導体層ＳＬ１上に形成されたチャネル層ＣＨを含むトランジスタＴＲ１と、を有する。また、半導体装置は、チャネル層ＣＨ中に形成されたｎ型のソース領域ＳＲ１と、チャネル層ＣＨ中に、平面視においてソース領域ＳＲ１と離れて形成された、ｎ型のドレイン領域ＤＲ１と、を有する。ソース領域ＳＲ１およびドレイン領域ＤＲ１の各々は、半導体層ＳＬ１と接触している。【選択図】図１