SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: HIYOSHI TORU, UCHIDA MITSUAKI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 03.03.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon carbide semiconductor device enhanced in switching characteristic.SOLUTION: MOSFET 1 comprises: a silicon carbide layer 10; a gate insulative film 15; a gate electrode 27; and a source electrode 16. The silicon carbide layer 10 includes: a drift region 12; a body region 13; and a contact region 18. The source electrode 16 is in contact with the contact region 18 in a principal plane 10a. The contact resistance of the source electrode 16 to the contact region 18 is 1×10 cmor more and 1×10 cmor less. In a plan view on the principal plane 10a, the area of the contact region 18 is equal to or more than 10% of the area of the body region 13.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】スイッチング特性が向上した炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】ＭＯＳＦＥＴ１は、炭化珪素層１０と、ゲート絶縁膜１５と、ゲート電極２７と、ソース電極１６とを備えている。炭化珪素層１０は、ドリフト領域１２と、ボディ領域１３と、コンタクト領域１８とを含んでいる。ソース電極１６は、主面１０ａにおいてコンタクト領域１８に接触している。コンタクト領域１８に対するソース電極１６の接触抵抗は、１?１０-4Ωｃｍ2以上１?１０-1Ωｃｍ2以下となるように構成されている。また主面１０ａの平面視において、コンタクト領域１８の面積はボディ領域１３の面積の１０％以上である。【選択図】図１