SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE

• Main Author: KANO TAIKAN
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 21.12.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide technique that reduces shading occurring in a solid-state image pickup device.SOLUTION: Each of plural pixels arranged in an array form has, on a semiconductor substrate, a photoelectric conversion element containing a charge accumulation area, a floating diffusion area and a transfer transistor for transferring charges from the charge accumulation area to the floating diffusion area. In a plan view of the surface of the semiconductor substrate, the charge accumulation area of each of the plural pixels contains a portion overlapped with the gate of the transfer transistor. The area of the portion concerned of a first pixel which is far away from a driving circuit configured to supply a signal to the gate of the transfer transistor is larger than the area of the portion concerned of a second pixel which is near to the driving circuit. 【課題】固体撮像装置で発生するシェーディングを低減するための技術を提供する。【解決手段】アレイ状に配された複数の画素はそれぞれ、電荷蓄積領域を含む光電変換素子と、フローティングディフュージョン領域と、電荷蓄積領域からフローティングディフュージョン領域へ電荷を転送するための転送トランジスタとを半導体基板に有する。半導体基板の表面に対する平面視において、複数の画素のそれぞれの電荷蓄積領域は、転送トランジスタのゲートに重なる部分を含む。転送トランジスタのゲートに信号を供給するように構成された駆動回路から遠くにある第１画素の当該部分の面積は、駆動回路から近くにある第２画素の当該部分の面積よりも大きい。【選択図】図３