SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: MURATA DAISUKE, KIKUCHI MASAO
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 03.12.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device that can suppress warpage caused by thermal stress and enhance reliability.SOLUTION: Heat spreaders 3g, 3d to 3f are arranged to be spaced from one another. Transistor elements 1a to 1c are mounted on the heat spreader 3g, and the lower surfaces thereof are joined to the heat spreader 3g. Transistor elements 1d to 1f are mounted on the heat spreaders 3d to 3f, and the lower surfaces thereof are joined to the heat spreaders 3d to 3f. Mold resin 8 covers the heat spreaders 3g, 3d to 3f and the transistor elements 1a to 1f. The heat spreader 3g has a recess portion 12 confronting the heat spreaders 3d to 3f. The heat spreaders 3d to 3f have extension portions 13 entering the recess portion 12. 【課題】熱応力による反りを抑え、信頼性を向上させることができる半導体装置を得る。【解決手段】ヒートスプレッダ３ｇ，３ｄ〜３ｆは互いに離間して配置されている。トランジスタ素子１ａ〜１ｃがヒートスプレッダ３ｇ上に実装され、その下面がヒートスプレッダ３ｇに接合されている。トランジスタ素子１ｄ〜１ｆがヒートスプレッダ３ｄ〜３ｆ上に実装され、その下面がヒートスプレッダ３ｄ〜３ｆに接合されている。モールド樹脂８がヒートスプレッダ３ｇ，３ｄ〜３ｆ及びトランジスタ素子１ａ〜１ｆを覆っている。ヒートスプレッダ３ｇは、ヒートスプレッダ３ｄ〜３ｆと対向する凹部１２を有する。ヒートスプレッダ３ｄ〜３ｆは、凹部１２に入り込む延設部１３を有する。【選択図】図８