POWER SEMICONDUCTOR MODULE

• Main Authors: IKEDA YOSHINARI, INABA TETSUYA
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 09.11.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a non-contact power semiconductor module capable of further achieving lower inductance.SOLUTION: A power semiconductor module 1 comprises a metal base 2, a semiconductor chip 3 conductively fixed to the metal base 2, and an insulating substrate 4 fixed to the metal base 2 and including a circuit board on one surface thereof. The power semiconductor module also comprises a circuit board 8 provided facing the semiconductor chip 3 and the insulating substrate 4 and including a metal film electrically connecting an electrode of the semiconductor chip 3 and a circuit board of the insulating substrate 4. Furthermore, the power semiconductor module includes a conductive post 9 provided by electrically connecting it to at lease one of the electrode of the semiconductor chip 3 and the circuit board of the insulating substrate 4, and electrically connected to the metal film of the circuit board 8. 【課題】非接触型のパワー半導体モジュールにおいて、更なる低インダクタンス化を達成することができるパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】パワー半導体モジュール１は、金属ベース２と、金属ベース２に導通して固定された半導体チップ３と、金属ベース２に固定され、一方の表面に回路板を有する絶縁基板４を備えている。また、半導体チップ３及び絶縁基板４に対向して設けられ、半導体チップ３の電極と絶縁基板４の回路板とを電気的に接続する金属膜を有する回路基板８を備えている。更に、半導体チップ３の電極及び絶縁基板４の回路板の少なくとも一方に電気的に接続して設けられ、かつ、回路基板８の金属膜と電気的に接続する導電ポスト９を備えている。【選択図】図１