LOWER ELECTRODE ASSEMBLY OF PLASMA PROCESSING CHAMBER

• Main Authors: BRETT C RICHARDSON, HA HANH TUONG, JASON AUGUSTINO, HARMEET SINGH, KEITH WILLIAM GAFF, CHAU QUAN
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 15.10.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent arc discharge in a plasma processing chamber.SOLUTION: A lower electrode assembly for a plasma processing chamber comprises: a metal base plate 202; an upper edge ring 206; and a lower edge ring 204. The metal base plate 202 comprises: a plurality of metal plates brazed each other and forming a brazed line on a lower side surface of the base; an edge ring support surface extending horizontally inwardly from the lower side surface; and an upper side surface above the edge ring support surface. The upper edge ring 206 comprises a lower surface mounted on the edge ring support surface, and the lower edge ring 204 surrounds the lower side surface of the base plate 202. A gap provided between opposed surfaces of the upper edge ring 206 and the lower edge ring 204 and between the lower edge ring 204 and the metal base plate 202 prevents arc discharge at the location of the brazed line of the metal plate. 【課題】プラズマ処理チャンバにおけるアーク放電を防止する。【解決手段】プラズマ処理チャンバの下側電極アセンブリが、金属ベースプレート２０２と、上側２０６エッジリング及び下側エッジリング２０４とを備える。金属ベースプレート２０２は、互いにろう付けされて、ベースの下方側面上にろう付け線を形成する複数の金属プレートと、下方側面から水平内向きに広がるエッジリング支持面とエッジリング支持面の上方の上方側面とを備える。上側エッジリング２０６は、エッジリング支持面上に取り付けられた下面を備えており、下側エッジリング２０４はベースプレート２０２の下方側面を囲んでいる。上側エッジリング２０６及び下側エッジリング２０４の対向面の間及び下側エッジリング２０４と金属ベースプレート２０２の間にギャップを設ける事により金属プレートろう付け線の位置におけるアーク放電を防止する。【選択図】図２