SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

• Main Authors: KAWAHARA HIROYUKI, MURAMOTO RYO, FUJIWARA NAOKI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 07.09.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus which can perform heating treatment on a principal surface of a substrate successfully.SOLUTION: A substrate processing apparatus comprises a heater head 35 which includes an infrared lamp 38 for emitting infrared rays, a housing 40 for storing the infrared lamp 38, and a shielding film 69 for shielding a part of infrared rays emitted from the infrared lamp 38. In a state where the heater head 35 is arranged at a second adjacent position, infrared rays IL2 emitted from an emission point P1 arranged on one side of the infrared lamp 38 through a range out of a presence range of a wafer W and toward the outside of a periphery of the wafer W are shielded by the shielding film 69. On the other hand, infrared rays IL1 of the infrared rays emitted from the infrared lamp 38 except the infrared rays IL2 penetrate the housing 40 and are emitted below the heater head 35. 【課題】基板の主面に加熱処理を良好に施すことができる基板処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】ヒータヘッド３５が、赤外線を出射する赤外線ランプ３８と、赤外線ランプ３８を収容するハウジング４０と、赤外線ランプ３８から出射される赤外線の一部を遮蔽する遮蔽膜６９と、を有する。そして、ヒータヘッド３５が第２の近接位置に配された状態では、赤外線ランプ３８のうち一方側に配される出射点Ｐ１からウエハＷの存在範囲を外れてウエハＷの外周部よりも外側に向けて出射される赤外線ＩＬ２が遮蔽膜６９によって遮蔽される。他方、赤外線ランプ３８から出射される赤外線のうち赤外線ＩＬ２を除いた赤外線ＩＬ１はハウジング４０を透過してヒータヘッド３５の下方へと出射される。【選択図】図５