SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: NAGIRA TAKASHI, KAWAHARA HIROYUKI, TSUNAMI DAISUKE
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 07.09.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device manufacturing method which can remove a salient of a compound semiconductor layer while suppressing exposure of an active layer and an etching amount of an upper semiconductor layer without involving a damage.SOLUTION: A semiconductor device manufacturing method comprises: a laser part formation process of forming on a part of a substrate, a laser part provided with an active layer, an upper semiconductor layer formed on the active layer and a mask formed on the upper semiconductor layer; a semiconductor layer formation process of forming a compound semiconductor layer by an In-containing material, which contacts lateral faces of the laser part and has salients at parts contacting the laser part; and a wet etching process of removing the salients by an etchant containing hydrobromic acid and acetic acid to planarize the compound semiconductor layer. By the wet etching process, (111)A surfaces are formed on the upper semiconductor layer under the mask. 【課題】本発明は、弊害を伴うことなく、活性層の露出及び上部半導体層のエッチング量を抑制しつつ、化合物半導体層の凸部を除去できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板の一部に、活性層と、該活性層の上に形成された上部半導体層と、該上部半導体層の上に形成されたマスクとを備えるレーザ部を形成するレーザ部形成工程と、Ｉｎを含有する材料で、該レーザ部の側面に接し、該レーザ部と接する部分に凸部を有する化合物半導体層を形成する半導体層形成工程と、臭化水素酸と酢酸を含むエッチャントによって、該凸部を除去し、該化合物半導体層を平坦にするウェットエッチング工程と、を備える。そして、該ウェットエッチング工程によって、該マスクの下の該上部半導体層に（１１１）Ａ面が形成される。【選択図】図４