LIGHT EMITTING ELEMENT

• Main Authors: KAWASE TOMOHITO, NAKANISHI YASUO, FUJIMORI TAKAO
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 27.08.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

【課題】光取出し効率を向上化させることができる発光素子を提供する。【解決手段】発光素子１は、基板２と、基板２の表面２Ａに順に積層されたｎ型導電型半導体層３、発光層４およびｐ型導電型半導体層５とを含む。ｎ型導電型半導体層３における周縁部付近を除いた部分と、発光層４と、ｐ型導電型半導体層５とによって、半導体積層構造部６が構成されている。ｐ型導電型半導体層５の表面には、ｐ側透明電極層１４が形成されている。ｐ側透明電極層１４は、ｐ型導電型半導体層５の表面における所定の電流注入領域１３のほぼ全域を覆っている。ｐ側透明電極層１４の表面には、ｐ側電極１５が形成されている。ｐ側透明電極層１４の表面には、ｐ側透明電極層１４を貫通し、半導体積層構造部６の内部に入り込んだ複数の凹部１６が形成されている。【選択図】図２ The light emitting device includes a substrate, and an n-type conductive type semiconductor layer, a light emitting layer and a p-type conductive type semiconductor layer laminated in series on a surface of the substrate. The light emitting layer, the p-type conductive type semiconductor layer, and a portion of the n-type conductive type semiconductor layer excluding the vicinity of the peripheral portion compose a semiconductor laminate structure portion. A p-side transparent electrode layer is formed on a surface of the p-type conductive type semiconductor layer. The p-side transparent electrode covers a substantially whole area of a predetermined current injection region on a surface of the p-type conductive type semiconductor layer. A p-side electrode is formed on a surface of the p-side transparent electrode layer. A plurality of concave portions, which penetrate the p-side transparent electrode layer and enter the semiconductor laminate structure portion, are formed on a surface of the p-side transparent electrode layer.