ETCHING METHOD

PROBLEM TO BE SOLVED: To control the shrink ratio of the CD of an etching pattern.SOLUTION: An etching method of an etched film on a substrate includes steps of supplying treatment gas containing a halogen-containing gas, hydrogen gas, inert gas, and oxygen gas, treating a mask patterned on the etch...

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Main Author YOSHIDA RYOICHI
Format Patent
LanguageEnglish
Japanese
Published 22.06.2015
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:PROBLEM TO BE SOLVED: To control the shrink ratio of the CD of an etching pattern.SOLUTION: An etching method of an etched film on a substrate includes steps of supplying treatment gas containing a halogen-containing gas, hydrogen gas, inert gas, and oxygen gas, treating a mask patterned on the etched film by means of plasma generated from the treatment gas, and etching the etched film thus treated by means of plasma generated from etching gas. 【課題】エッチングパターンのＣＤのシュリンクレシオを制御する。【解決手段】基板上のエッチング対象膜をエッチング処理する方法であって、ハロゲン含有ガスと水素ガスと不活性ガスと酸素ガスとを含むトリートメントガスを供給し、該トリートメントガスから生成されたプラズマにより、エッチング対象膜上にパターン形成されたマスクをトリートメントし、前記トリートメントしたエッチング対象膜を、エッチングガスから生成されたプラズマによりエッチングする、ステップを含む、エッチング方法が提供される。【選択図】図７
Bibliography:Application Number: JP20130255349