METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress change of charges stored in a charge storage film.SOLUTION: A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: forming an element isolation insulating film on a semiconductor substrate; forming a first film on a surface of the semiconductor sub...
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Format | Patent |
Language | English Japanese |
Published |
28.05.2015
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Summary: | PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress change of charges stored in a charge storage film.SOLUTION: A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: forming an element isolation insulating film on a semiconductor substrate; forming a first film on a surface of the semiconductor substrate; forming a second film on the element isolation insulating film and the first film; forming a first resist pattern having an opening above the element isolation insulating film in a first region; performing a first etching using the first resist pattern as a mask so as to remove the second film on the element isolation insulating film in the first region and divide the second film in the first region into plural ones; forming a third film on the second film in the first region after removing the first resist pattern; forming a first gate electrode on the third film in the first region; and forming a first insulating film having the first, second, and third films under a first gate electrode by patterning the first, second, and third films using the first gate electrode as a mask.
【課題】電荷蓄積膜に蓄積される電荷の変化を抑制する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板に素子分離絶縁膜を形成する工程と、半導体基板の表面に第1膜を形成する工程と、素子分離絶縁膜上及び第1膜上に第2膜を形成する工程と、第1領域における素子分離絶縁膜の上方が開口された第1レジストパターンを形成する工程と、第1レジストパターンをマスクとして、第1エッチングを行うことにより、第1領域における素子分離絶縁膜上の第2膜を除去し、第1領域における第2膜を複数に分離する工程と、第1レジストパターンを除去した後、第1領域における第2膜上に第3膜を形成する工程と、第1領域における第3膜上に第1ゲート電極を形成する工程と、第1ゲート電極をマスクとして、第1膜、第2膜及び第3膜をパターニングすることにより、第1ゲート電極の下に、第1膜、第2膜及び第3膜を有する第1絶縁膜を形成する工程と、を備える。【選択図】図18 |
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Bibliography: | Application Number: JP20130240272 |