METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: OGURA TERU, OGOSHI KATSUAKI, MATSUMURA HIDEAKI, INOUE YASUTAKE, TORII TOMOHITO, KASE YUKA, KAWAGUCHI ETSURO
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 28.05.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress change of charges stored in a charge storage film.SOLUTION: A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: forming an element isolation insulating film on a semiconductor substrate; forming a first film on a surface of the semiconductor substrate; forming a second film on the element isolation insulating film and the first film; forming a first resist pattern having an opening above the element isolation insulating film in a first region; performing a first etching using the first resist pattern as a mask so as to remove the second film on the element isolation insulating film in the first region and divide the second film in the first region into plural ones; forming a third film on the second film in the first region after removing the first resist pattern; forming a first gate electrode on the third film in the first region; and forming a first insulating film having the first, second, and third films under a first gate electrode by patterning the first, second, and third films using the first gate electrode as a mask. 【課題】電荷蓄積膜に蓄積される電荷の変化を抑制する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板に素子分離絶縁膜を形成する工程と、半導体基板の表面に第１膜を形成する工程と、素子分離絶縁膜上及び第１膜上に第２膜を形成する工程と、第１領域における素子分離絶縁膜の上方が開口された第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンをマスクとして、第１エッチングを行うことにより、第１領域における素子分離絶縁膜上の第２膜を除去し、第１領域における第２膜を複数に分離する工程と、第１レジストパターンを除去した後、第１領域における第２膜上に第３膜を形成する工程と、第１領域における第３膜上に第１ゲート電極を形成する工程と、第１ゲート電極をマスクとして、第１膜、第２膜及び第３膜をパターニングすることにより、第１ゲート電極の下に、第１膜、第２膜及び第３膜を有する第１絶縁膜を形成する工程と、を備える。【選択図】図１８