SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: NAKAMURA HIROKI, MASUOKA FUJIO
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 13.04.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a structure of a memory which allows a large current to flow in a selection transistor and has resistance random storage elements.SOLUTION: A semiconductor device comprises: first columnar silicon layers 129, 131, 132, 134; a first gate insulation film 162 formed around the first columnar silicon layers; gate electrodes 168a, 170a made of metal; gate wiring 168b, 170b which are connected to the gate electrodes and made of metal; a second gate insulation film 173 formed around an upper part of the first columnar silicon layers; first contacts 179a, 181a, 181b made of a first metal material; second diffusion layers 143a, 143b formed on a lower part of the first columnar silicon layers; and resistance random storage elements 201a, 201b, 202a, 202b. An upper part of the first contacts and the upper part of the first columnar silicon layers are electrically connected and the upper part of the columnar silicon layers and the storage elements are electrically connected. 【課題】選択トランジスタに大量の電流を流すことが可能であり、かつ、抵抗が変化する記憶素子を有するメモリの構造を提供する。【解決手段】第１の柱状シリコン層１２９、１３１、１３２、１３４と、前記第１の柱状シリコン層の周囲に形成された第１のゲート絶縁膜１６２と、金属からなるゲート電極１６８ａ、１７０ａと、ゲート電極に接続された、金属からなるゲート配線１６８ｂ、１７０ｂと、第１の柱状シリコン層の上部周囲に形成された第２のゲート絶縁膜１７３と、第１の金属材料からなる第１のコンタクト１７９ａ、１７９ｂ、１８１ａ、１８１ｂと、第１の柱状シリコン層の下部に形成された第２の拡散層１４３ａ、１４３ｂと、抵抗が変化する記憶素子２０１ａ、２０１ｂ、２０２ａ、２０２ｂと、を有する。第１のコンタクトの上部と第１の柱状シリコン層の上部とは電気的に接続され、第１の柱状シリコン層の上部と記憶素子とは電気的に接続されている。【選択図】図１