SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: TAKADA OSAMU
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 23.03.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device of low cost and high voltage withstand capability.SOLUTION: A semiconductor device according to an embodiment comprises: a floating drain region 21 provided in a region between a second semiconductor region 13 and a source region 17; a first gate electrode 26 provided between a drain region 15 and the floating drain region 21 on a first semiconductor region 12; and a second electrode 27 provided between the source region 17 and the floating drain region 21 on the first semiconductor region 12, in which a part of the second semiconductor region 13 overlaps below the first gate electrode 26 via a gate insulation film 25. 【課題】実施形態は、低コスト且つ高耐圧な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、フローティングドレイン領域２１が、第２の半導体領域１３とソース領域１７との間の領域に設けられている。第１のゲート電極２６が、第１の半導体領域１２上に、ドレイン領域１５とフローティングドレイン領域２１との間に設けられている。第２のゲート電極２７が、第１の半導体領域１２上に、ソース領域１７とフローティングドレイン領域２１との間に設けられている。第２の半導体領域１３の一部が、ゲート絶縁膜２５を介して第１のゲート電極２６の下に重なっている。【選択図】図１