STRUCTURE FOR ELECTRON-BEAM PUMPED EDGE-EMITTING DEVICE AND METHODS FOR PRODUCING THE SAME

• Main Authors: ZHIHONG YANG, TEEPE MARK R, THOMAS WUNDERER, NOBLE M JOHNSON, JOHN E NORTHRUP, CHRISTOPHER L CHUA
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 08.01.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide laser devices that are pumped using an electron-beam pump source and capable of emitting at comparatively short wavelengths, and methods for producing the same.SOLUTION: A semiconductor laser structure 12 comprises: a substrate 16; a lower cladding layer 18 disposed over the substrate; a lower waveguide layer 20 disposed over the lower cladding layer; an active layer 22 of a multiple quantum well structure region disposed over the lower waveguide layer; an upper waveguide layer 24 disposed over the active layer; and an ohmic metal layer 29 for discharging excess charge within a semiconductor laser device. An electron beam pump 14 is disposed over the upper waveguide layer and configured to direct an electron beam into the active layer through the upper waveguide layer, thereby forming the semiconductor laser device. Elimination of a p-doped layer with high electrical conductivity and low absorption losses enables fabrication with high band gap materials. 【課題】電子ビームポンプ源を用いてポンピングされ、比較的短い波長で発光することが可能なレーザ装置およびそれを作製するための方法を提供する。【解決手段】半導体レーザ構造１２は、基板１６と、基板上に配置された下部クラッド層１８と、下部クラッド層上に配置された下部導波層２０と、下部導波層上に配置された多重量子井戸構造領域の活性層２２と、活性層上に配置された上部導波層２４と、半導体レーザ装置内の過剰な電荷を放電するためのオーミック金属層２９とを備える。上部導波層上には、上部導波層を通って活性層内に電子ビームを導くように構成される電子ビームポンプ１４が配置され、半導体レーザ装置を構成する。【効果】高い電気伝導度および低い吸収損を有するｐドープ層を除去することにより、高いバンドギャップの材料で製造することが可能になる。【選択図】図１