Si ETCHANT

• Main Authors: MATSUMOTO TAKAO, OSHIRO KENJI, MOCHIDA KOHEI, OWADA HIROHISA, MIYAMOTO TETSUHIRO, UTSUGI MANABU, MURATA AKIRA, YAMAMOTO NAOYOSHI, KONDO TSUTOMU, SAWADA KOICHI, NAKAMURA AKIHIRO
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 13.11.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an etchant and an etching method which enable a silicon layer to be etched at a practicable speed and an excellent etching shape to be obtained by suppressing an amount of side etching, by a wet etching method using a low content of nitrogen-containing compounds and a fluorine compound .SOLUTION: The etchant for etching a silicon layer is provided which contains one or more acidic solvents selected from the group consisting of an organic compound having 0.1 to 30 wt.% of a nitrogen-containing compound, a fluorine compound, a phosphorus-containing compound, a sulfur-containing inorganic compound, and a sulfo group. 【課題】低含有量の窒素含有化合物およびフッ素化合物を用いたウェットエッチング法により、シリコン層を実用的な速度でエッチングし、サイドエッチング量の抑制により良好なエッチング形状を得ることができるエッチング液およびエッチング方法を提供すること。【解決手段】シリコン層をエッチングするためのエッチング液であって、０．１〜３０重量％の窒素含有化合物、フッ素化合物ならびにリン含有化合物、硫黄含有無機化合物およびスルホ基を有する有機化合物からなる群から選択される酸性溶媒を１種または２種以上を含む、ことを特徴とする、前記エッチング液。【選択図】なし