Connexion électrique et son procédé de fabrication

• Main Authors: JOSSE, Emmanuel, INARD, Alain
• Format: Patent
• Language: French
• Published: 03.11.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Connexion électrique et son procédé de fabrication La présente description concerne un procédé de fabrication comprenant les étapes suivantes : prévoir un substrat de silicium (SUB2) ayant un via (200) pénétrant dans le substrat (SUB2) à partir de sa face avant (100) et comprenant un cœur conducteur (201) en silicium et une gaine isolante (202) en oxyde de silicium ; graver le substrat (SUB2) à partir de sa face arrière (102), sélectivement par rapport à la gaine (202) pour qu'une partie du via (200) fasse saillie de la face arrière (102) ; déposer une couche isolante (300) d'oxyde de silicium du côté de la face arrière (102) ; polir la couche isolante (300) jusqu'à exposer le cœur (201) en laissant en place une partie de l'épaisseur de la couche isolante (300) ; et former une électrode conductrice (104) en contact avec le cœur (201). Figure pour l'abrégé : Fig. 3 The present description concerns a manufacturing method comprising the following steps: providing a silicon substrate having a via penetrating into the substrate from its front surface and comprising a silicon conductive core and a silicon oxide insulating sheath; etching the substrate from its rear surface, selectively over the sheath so that a portion of said at least one via protrudes from the rear surface; depositing a silicon oxide insulating layer on the rear surface; polishing the insulating layer to expose the core while leaving in place a portion of the thickness of the insulating layer; and forming a conductive electrode in contact with the core.