Procédé de formation d'une couche à base d'un matériau piézoélectrique et dispositif à onde acoustique de surface utilisant une telle couche

• Main Authors: DUPONT, Florian, RODRIGUEZ, Guillaume, SAUZE, Laura
• Format: Patent
• Language: French
• Published: 09.06.2023
• Subjects: BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRICITY; IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS

Titre : Procédé de formation d'une couche à base d'un matériau piézoélectrique et dispositif à onde acoustique de surface utilisant une telle couche L'invention porte sur un procédé de formation d'une couche (30) à base de niobate de lithium ou de tantalate de lithium, dite couche LN/LT, comprenant les étapes suivantes : - Fournir un substrat (10) à base de silicium, - Former sur le substrat (10) une couche de nucléation (20), - Former par épitaxie la couche LN/LT (30) sur la couche de nucléation (20). Le procédé est caractérisé en ce que la couche de nucléation (20) est choisie à base de matériau III-N. L'invention porte également sur un dispositif (1) à onde acoustique de surface comprenant une telle couche de nucléation (20). Figure pour l'abrégé : Fig.1A A method for forming a lithium niobate- or lithium tantalum-based (LN/LT) layer includes providing a silicon-based substrate, forming nucleation layer on the substrate, and forming the LN/LT layer by epitaxy on the nucleation layer. The nucleation layer is chosen based upon a III-N material. The nucleation layer may be used in a surface acoustic wave device.