Photodiode SPAD

Photodiode SPAD La présente description concerne une photodiode comportant, dans un substrat semi-conducteur (11) d'un premier type de conductivité : - une première région (13) enterrée sensiblement hémisphérique du premier type de conductivité ; et - à l'intérieur de la première région, u...

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Main Authors ZIMMER, Antonin, BIANCHI, Raul Andres, GOLANSKI, Dominique
Format Patent
LanguageFrench
Published 22.12.2023
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:Photodiode SPAD La présente description concerne une photodiode comportant, dans un substrat semi-conducteur (11) d'un premier type de conductivité : - une première région (13) enterrée sensiblement hémisphérique du premier type de conductivité ; et - à l'intérieur de la première région, un coeur (15) sensiblement hémisphérique d'un deuxième type de conductivité, différent du premier type de conductivité. Figure pour l'abrégé : Fig. 2 A photodiode is formed in a semiconductor substrate of a first conductivity type. The photodiode includes a first region having a substantially hemispherical shape and a substantially hemispherical core of a second conductivity type, different from the first conductivity type, within the first region. An epitaxial layer covers the semiconductor substrate and buries the first region and core.
Bibliography:Application Number: FR20210003040