Circuit électronique de commande d'un transistor à effet de champ

La présente invention vise un circuit électrique comprenant un MOSFET (Q6) et un circuit électronique de commande dudit MOSFET (Q6), présentant quatre broches, ledit circuit électrique comprenant au moins une piste électrique à laquelle ledit MOSFET (Q6) est connecté par un pontage présentant une in...

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Main Authors BOUCHEZ, BORIS, DUMENIL, Baptiste
Format Patent
LanguageFrench
Published 19.01.2024
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Summary:La présente invention vise un circuit électrique comprenant un MOSFET (Q6) et un circuit électronique de commande dudit MOSFET (Q6), présentant quatre broches, ledit circuit électrique comprenant au moins une piste électrique à laquelle ledit MOSFET (Q6) est connecté par un pontage présentant une inductance intrinsèque (L1), ledit circuit électronique de commande étant connecté au MOSFET (Q6) par une première borne reliée directement à la première source (S1) et, en parallèle, par une deuxième borne reliée à la deuxième source (S2), ledit pontage étant disposé entre la deuxième borne et la deuxième source (S2), et le circuit électronique de commande étant configuré de sorte à appliquer un signal électrique de commande entre la grille (G) et la première source (S1) ou entre la grille (G) et la deuxième source (S2) du MOSFET (Q6), respectivement pour entraîner un changement d'état dudit MOSFET (Q6) à l'état OFF ou à l'état ON. Figure de l'abrégé : Figure 1 An electrical circuit includes a MOSFET and an electronic driver circuit for driving the MOSFET, having four pins, the electrical circuit including at least one electrical track to which the MOSFET is connected by a bond wire having an intrinsic inductance. The electronic driver circuit is connected to the MOSFET by a first terminal directly linked to the first source and, in parallel, by a second terminal linked to the second source. The bond wire is arranged between the second terminal and the second source. The electronic driver circuit is configured so as to apply an electrical driver signal between the gate and the first source or between the gate and the second source of the MOSFET, in order to trigger a change of state of the MOSFET to the OFF state or to the ON state, respectively.
Bibliography:Application Number: FR2010346