MATERIAU COMPORTANT UN EMPILEMENT A SOUS-COUCHE DIELECTRIQUE FINE D'OXIDE A BASE DE ZINC ET PROCEDE DE DEPOT DE CE MATERIAU

• Main Authors: GUIMARD, Denis, ORVEN, Matthieu, BARRES, Thomas
• Format: Patent
• Language: French
• Published: 01.07.2022
• Subjects: CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUSENAMELS; CHEMISTRY; GLASS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS; METALLURGY; MINERAL OR SLAG WOOL; OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS; OPTICS; PHYSICS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS,MINERALS OR SLAGS; SURFACE TREATMENT OF GLASS

L'invention concerne un matériau comprenant un substrat (30) revêtu sur une face (29) d'un empilement de couches minces (14) comportant au moins une couche fonctionnelle métallique (140) et comportant :- une sous-couche d'oxyde à base de zinc, ZnO (129) entre 0,3 et 5,0 nm ;- une sous-couche diélectrique de nitrure à base de silicium-zirconium SixNyZrZ (127) sous et au contact de ladite sous-couche d'oxyde à base de zinc ZnO (129), entre 5,0 et 50,0 nm ; - une sous-couche diélectrique primaire de nitrure à base de silicium Si3N4 (125) sous et au contact de ladite sous-couche de nitrure à base de silicium-zirconium SixNyZrZ (127), entre 5,0 et 30,0 nm ;- une couche de surblocage d'oxyde à base de titane TiOx située sur et au contact de ladite couche fonctionnelle (140). Figure de l'abrégé : Figure 1 The invention relates to a material comprising a substrate (30) coated on one face (29) with a stack of thin layers (14) comprising at least one metallic functional layer (140) and comprising: - a zinc oxide, ZnO, based sublayer (129) between 0.3 and 5.0 nm thick; - a silicon-zirconium nitride, SixNyZrZ, based dielectric sublayer (127), underneath and in contact with the zinc oxide, ZnO, based sublayer (129), between 5.0 and 50.0 nm thick; - a silicon nitride Si3N4 based primary dielectric sublayer (125), underneath and in contact with the silicon-zirconium nitride, SixNyZrZ, based sublayer (127), between 5.0 and 30.0 nm thick; - and a titanium oxide, TiOx, based blocking layer (150) placed on and in contact with said functional layer (140).