TRANSISTOR BIDIRECTIONNEL A HETEROJONCTION A FAIBLE RESISTANCE A L'ETAT PASSANT

• Main Author: ESCOFFIER, RENE
• Format: Patent
• Language: French
• Published: 11.11.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

L'invention porte sur un transistor bidirectionnel à hétérojonction avec : -des première et deuxième électrodes de conduction (11, 12), des première et deuxième grilles (21, 22) entre les électrodes de conduction, et des première et deuxième électrodes de référence (31, 32) entre les grilles ; -une superposition de couches semiconductrices (7, 9), comprenant : -des zones de canal (81, 82) à la verticale des grilles ; -une première zone de conduction (83) entre la première électrode de conduction et la première zone de canal ; -une deuxième zone de conduction (84) entre la deuxième électrode de conduction et la deuxième zone de canal ; -une troisième zone de conduction (85) séparée des première et deuxième zones de conduction par les première et deuxième zones de canal respectivement ; -une première liaison électrique (311) connectée à la troisième zone de conduction (85) et à la première électrode de référence. Figure à publier avec l'abrégé : Fig. 2 A bidirectional heterojunction transistor includes first and second conduction electrodes, first and second gates between the conduction electrodes, and first and second reference electrodes between the gates. The transistor further includes a superposition of semiconductor layers, including channel zones that are vertically in line with the gates, a first conduction zone between the first conduction electrode and the first channel zone, and a second conduction zone between the second conduction electrode and the second channel zone. The superposition of semiconductor layers also includes a third conduction zone that is separated from the first and second conduction zones by the first and second channel zones, respectively, and a first electrical connection that is connected to the third conduction zone and to the first reference electrode.