PROCEDE POUR LE TRAITEMENT D'UN SUSBTRAT SOI DANS UN EQUIPEMENT DE NETTOYAGE MONOPLAQUE

• Main Authors: VIRAVAUX, LAURENT, LEDRAPPIER, SEBASTIEN
• Format: Patent
• Language: French
• Published: 14.08.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CLEANING; CLEANING IN GENERAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY; PERFORMING OPERATIONS; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL; PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSPORTING

L'invention concerne un procédé pour le traitement d'un substrat SOI (1) dans un équipement de nettoyage monoplaque, ledit équipement comprenant : * Un système de préhension du substrat (1) apte à opérer un mouvement de rotation, * Une première buse (10) pour la dispense d'une première solution sous forme d'un jet de gouttelettes sur une face avant (la) du substrat (1), Le procédé est remarquable en ce que l'énergie cinétique surfacique des gouttelettes est inférieure ou égale à 30 Joules/m2. A method of treating an SOI substrate in a single wafer cleaner includes gripping and rotating the substrate using a system, and dispensing a first liquid solution from a first nozzle in the form of a spray of droplets onto a front face of the SOI substrate. The kinetic energy per unit area of the droplets is lower than or equal to 30 joules/m2.