PROCEDE DE POLISSAGE CMP UNIFORME

L'invention met à disposition un procédé pour polir ou planariser une galette d'au moins l'un parmi les substrats semi-conducteurs, optiques et magnétiques. Le procédé comprend la rotation d'un tampon de polissage (10), le tampon de polissage en rotation ayant des rainures d'...

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Main Authors NGUYEN, JOHN VU, STACK, JEFFREY ROBERT, HENDRON, JEFFREY JAMES, TRAN, TONY QUAN
Format Patent
LanguageFrench
Published 21.12.2018
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Summary:L'invention met à disposition un procédé pour polir ou planariser une galette d'au moins l'un parmi les substrats semi-conducteurs, optiques et magnétiques. Le procédé comprend la rotation d'un tampon de polissage (10), le tampon de polissage en rotation ayant des rainures d'alimentation radiales (20-34) dans la couche de polissage séparant la couche de polissage en régions de polissage (40-54). Les régions de polissage (40-54) sont des secteurs circulaires définis par deux rainures d'alimentation radiales adjacentes. Les rainures d'alimentation radiales (20-34) s'étendent depuis un emplacement adjacent au centre (16) jusqu'à un emplacement adjacent au bord extérieur (18). Chaque région de polissage comprend une série de rainures obliques connectant une paire de rainures d'alimentation radiales adjacentes. Le pressage et la rotation de la galette contre le tampon de polissage (10) en rotation pour de multiples rotations du tampon de polissage ajustent le polissage soit en augmentant soit en réduisant le temps de séjour du fluide de polissage sous la galette. The invention provides a method for polishing or planarizing a wafer of at least one of semiconductor, optical and magnetic substrates. The method includes rotating a polishing pad, the rotating polishing pad having radial feeder grooves in the polishing layer separating the polishing layer into polishing regions. The polishing regions are circular sectors defined by two adjacent radial feeder grooves. The radial feeder grooves extend from a location adjacent the center to a location adjacent the outer edge. Each polishing region includes a series of biased grooves connecting a pair of adjacent radial feeder grooves. Pressing and rotating the wafer against the rotating polishing pad for multiple rotations of the polishing pad adjusts polishing by either increasing or decreasing residence time of the polishing fluid under the wafer.
Bibliography:Application Number: FR1855172