PROCEDE DE POLISSAGE CMP A HAUT DEBIT

• Main Authors: NGUYEN, JOHN VU, STACK, JEFFREY ROBERT, HENDRON, JEFFREY JAMES, TRAN, TONY QUAN
• Format: Patent
• Language: French
• Published: 21.12.2018
• Subjects: DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS; GRINDING; MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; PERFORMING OPERATIONS; POLISHING; TOOLS FOR GRINDING, BUFFING, OR SHARPENING; TRANSPORTING

L'invention met à disposition un procédé pour polir ou planariser une galette d'au moins l'un parmi les substrats semi-conducteurs, optiques et magnétiques. Le procédé comprend la rotation d'un tampon de polissage (10) ayant des rainures d'alimentation radiales (20-34) dans la couche de polissage (12) séparant la couche de polissage en régions de polissage (40-54). Les rainures d'alimentation radiales comprennent une série de rainures obliques (160-170) connectant une paire de rainures d'alimentation radiales adjacentes. Une majorité des rainures obliques ont soit une oblicité vers l'intérieur en direction du centre soit une oblicité vers l'extérieur en direction du bord extérieur du tampon de polissage. Le pressage et la rotation de la galette contre le tampon de polissage en rotation pour de multiples rotations du tampon de polissage à une distance fixe par rapport au centre du tampon de polissage augmentent la vitesse d'enlèvement par polissage ou planarisation de la galette. The invention provides a method for polishing or planarizing a wafer of at least one of semiconductor, optical and magnetic substrates. The method includes rotating a polishing pad having radial feeder grooves in the polishing layer separating the polishing layer into polishing regions. The radial feeder grooves include a series of biased grooves connecting a pair of adjacent radial feeder grooves. A majority of the biased grooves have either an inward bias toward the center or an outward bias toward the outer edge of the polishing pad. Pressing and rotating the wafer against the rotating polishing pad for multiple rotations of the polishing pad at a fixed distance from the center of the polishing pad increases polishing or planarizing removal rate of the wafer.