DIODE ELECTROLUMINESCENTE COMPRENANT AU MOINS UNE COUCHE INTERMEDIAIRE DE PLUS GRAND GAP DISPOSEE DANS AU MOINS UNE COUCHE BARRIERE DE LA ZONE ACTIVE

• Main Authors: ROBIN, IVANRISTOPHE, ELOUNEG-JAMROZ, MIRYAM, EVEN, ARMELLE
• Format: Patent
• Language: French
• Published: 14.06.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Diode électroluminescente (100) comprenant au moins : - une première couche (102) de semi-conducteur dopé n et une deuxième couche (104) de semi-conducteur dopé p formant une jonction p-n ; - une zone active (105) disposée entre les première et deuxième couches, comprenant au moins une couche émissive (106) d'InxGa1-xN apte à former un puits quantique, et au moins deux couches barrières (108) d'InYGa1-yN entre lesquelles la couche émissive est disposée, et avec X et Y nombres réels tels que 0 < Y < X ; - une couche intermédiaire (114), disposée dans la couche barrière se trouvant entre la couche émissive et la première couche, des parties de ladite couche barrière étant disposées de part et d'autre de la couche intermédiaire, ou disposée entre ladite couche barrière et la couche émissive, et comportant un semi-conducteur III-N de gap supérieur à celui du semi-conducteur de la couche barrière. Disclosed is a light-emitting diode containing: first and second semiconductor layers respectively n-doped and p-doped, forming a p-n junction; an active zone placed between the first and second layers, including an InXGa1-XN emitting layer able to form a quantum well, and two InYGa1-YN, where 0<Y<X, barrier layers between which the emitting layer is placed; and an intermediate layer, which is placed either in the barrier layer located between the emitting layer and the first layer and portions of which are then on either side of the intermediate layer, or placed between the barrier layer and the emitting layer. The intermediate layer includes a III-N semiconductor of bandgap wider than that of the barrier layer. The second layer includes GaN or InWGa1-WN, where 0<W<Y, and the first layer includes InVGa1-VN, where V>W>0.