PROCEDE DE POLISSAGE MECANO-CHIMIQUE, TAMPON DE POLISSAGE CORRESPONDANT ET SON PROCEDE DE PRODUCTION

• Main Authors: JACOB GEORGE C, DEGROOT MARTY W, QIAN BAINIAN, GUO YI
• Format: Patent
• Language: French
• Published: 05.05.2017
• Subjects: DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS; GRINDING; MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; PERFORMING OPERATIONS; POLISHING; TOOLS FOR GRINDING, BUFFING, OR SHARPENING; TRANSPORTING

L'invention concerne un procédé de polissage mécano-chimique comprenant: la fourniture d'un substrat, où le substrat comprend un oxyde de silicium et un nitrure de silicium; la fourniture d'une suspension de polissage; la fourniture d'un tampon de polissage comprenant: une couche de polissage ayant une composition qui est un produit de réaction d'ingrédients comprenant: un isocyanate polyfonctionnel et un agent de durcissement de type polyol initié par une amine; où le rapport stoechiométrique de l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine à l'isocyanate polyfonctionnel est choisi pour régler la sélectivité par les vitesses de retrait de la couche de polissage; la création d'un contact dynamique entre la surface de polissage et le substrat; la distribution de la suspension de polissage sur le tampon de polissage au niveau de ou à proximité de l'interface entre la surface de polissage et le substrat; et le retrait d'au moins une certaine quantité de l'oxyde de silicium et du nitrure de silicium du substrat, et son procédé de production. A chemical mechanical polishing method is provided comprising: providing a substrate, wherein the substrate comprises a silicon oxide and a silicon nitride; providing a polishing slurry; providing polishing pad, comprising: a polishing layer having a composition that is a reaction product of ingredients, comprising: a polyfunctional isocyanate and an amine initiated polyol curative; wherein the stoichiometric ratio of the amine initiated polyol curative to the polyfunctional isocyanate is selected to tune the removal rate selectivity of the polishing layer; creating dynamic contact between the polishing surface and the substrate; dispensing the polishing slurry on the polishing pad at or near the interface between the polishing surface and the substrate; and, removing at least some of the silicon oxide and the silicon nitride from the substrate.