PASSIVATION MULTICOUCHE DE LA FACE SUPERIEURE DE L'EMPILEMENT DE MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP

• Main Authors: JACQUET, JEAN CLAUDE, DELAGE, SYLVAIN, MICHEL, NICOLAS, OUALLI, MOURAD, AUBRY, RAPHAEL, PATARD, OLIVIER
• Format: Patent
• Language: French
• Published: 28.04.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

L'invention concerne un transistor comprenant un empilement de matériaux semi-conducteurs et dont la face supérieure (14) de l'empilement est recouverte d'une couche de passivation (16) comprenant deux sous-couches : - une première sous-couche (16a) s'étendant sur une zone de faible intensité de champ électrique, la densité de charge surfacique résiduelle (δRes) du premier matériau (Mat1) étant inférieure à la densité de charge surfacique de la face supérieure (14) de l'empilement (Emp), et - une deuxième sous-couche (16b) s'étendant sur une zone de forte intensité et recouvrant la première sous-couche (16a), le deuxième matériau (Mat2) ayant un champ électrique de claquage (Ecl) supérieur au champ électrique maximal sur la zone de forte intensité et une température de synthèse (Tsynth) supérieure à la température maximale (TZ1) atteinte sur la première zone (Z1), lors du fonctionnement. A field-effect transistor comprising a stack of semiconductor materials, the upper face of the stack being covered with a passivation layer comprises two sub-layers: a first sub-layer extending over a second zone of low intensity comprising a first material with electric breakdown field Ecl1, the charge of the first sub-layer being strictly less than the charge of the upper face of the stack, a second sub-layer extending over a first zone of high intensity and covering the first sub-layer, the second sub-layer comprising a second material with electrical breakdown field Ecl2 strictly greater than Ecl1.