PROCEDE DE RESTAURATION DE CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES A BASE DE SILICIUM

• Main Authors: DUBOIS SEBASTIEN, CASCANT-LOPEZ MIGUEL
• Format: Patent
• Language: French
• Published: 20.05.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Le procédé de traitement d'un élément photovoltaïque, comporte au moins les étapes suivantes : - prévoir un substrat (1) à base de silicium, muni en surface d'au moins une région émettrice (1 E); - générer des porteurs de charge dans le substrat (1), en maintenant le substrat (1) à une température comprise dans un intervalle de température compris entre 20°C et 230 °C et de préférence entre 50°C et 230°C; - soumettre le substrat (1) à un champ magnétique (B) pendant l'étape de génération des porteurs de charges, le champ magnétique (B) ayant une composante (Bc) sensiblement parallèle à l'interface (24) entre la région émettrice (1 E)et le substrat (1). The treatment method of a photovoltaic element comprises at least the following steps: providing a silicon-based substrate (1) provided with at least one emitting area (1E) at the surface; generating charge carriers in the substrate (1), while keeping the substrate (1) at a temperature within a temperature range comprised between 20° C. and 230° C. and preferably between 50° C. and 230° C.; subjecting the substrate (1) to a magnetic field (B) during the charge carrier generation step, the magnetic field (B) having a component (Bc) substantially parallel to the interface (24) between the emitting area (1E) and the substrate (1).