PROCEDE DE FABRICATION DE CARBURE DE SILICIUM

• Main Authors: ALEONARD BRUNO, SCHWARTZ MATTHIEU, DI PIERRO SIMONPIETRO
• Format: Patent
• Language: French
• Published: 11.01.2013
• Subjects: BLASTING; CHEMISTRY; COMPOUNDS THEREOF; FURNACES; FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; HEATING; INORGANIC CHEMISTRY; KILNS; LIGHTING; MECHANICAL ENGINEERING; METALLURGY; NON-METALLIC ELEMENTS; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS; OVENS; RETORTS; WEAPONS

L'invention se rapporte à un procédé de fabrication de SiC dans lequel les émissions de gaz polluants sont minimisées, par réduction d'oxyde de silicium par un excès de carbone, ledit procédé consistant à chauffer électriquement une résistance au cœur d'un mélange de matières premières consistant en une source carbonée choisie parmi les cokes de pétrole et une source de silicium, notamment une silice de pureté supérieur à 95% en SiO , pour donner lieu, à une température supérieure à 1500°C, à la réaction simplifiée : SiO + 3C = SiC + 2CO (1), ledit procédé se caractérisant en ce que ladite source carbonée subit préalablement un traitement d'élimination de l'hydrogène contenu, de telle façon que sa teneur élémentaire en hydrogène (TEMH) soit inférieure à 2% poids. A process for manufacturing SiC wherein the emissions of polluting gases are minimized, by reduction of silicon oxide by an excess of carbon, the process including electrically heating a resistor at the heart of a mixture of raw materials consisting of a carbon-based source chosen from petroleum cokes and a source of silicon, especially a silica having a purity of greater than 95% of SiO2, in order to give rise, at a temperature above 1500° C., to the simplified reaction: SiO2+3C=SiC+2CO (1), wherein the carbon-based source first undergoes a treatment for removing the contained hydrogen, so that its elemental hydrogen content (EHWC) is less than 2% by weight.