UTILISATION DE SPINELLES LACUNAIRES A CLUSTERS TETRAEDRIQUES D'ELEMENT DE TRANSITION DU TYPE AM4X8 DANS UNE MEMOIRE NON VOLATILE REINSCRIPTIBLE DE DONNEES ELECTRONIQUES,ET MATERIAU CORRESPONDANT
Utilisation de spinelles lacunaires à agrégats tétraédriques d'élément de transition du type AM4X8 dans une mémoire non volatile réinscriptible de données électroniques, et matériau correspondant.L'invention a pour objet l'utilisation d'un matériau appartenant à la famille des sp...
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Format | Patent |
Language | French |
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19.09.2008
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Summary: | Utilisation de spinelles lacunaires à agrégats tétraédriques d'élément de transition du type AM4X8 dans une mémoire non volatile réinscriptible de données électroniques, et matériau correspondant.L'invention a pour objet l'utilisation d'un matériau appartenant à la famille des spinelles lacunaires à agrégats tétraédriques d'élément de transition AM4X8 comme matériau actif d'une mémoire non volatile de données électroniques, dans lequel :- A comprend l'un au moins des éléments suivants : Ga, Ge, Zn ;- M comprend l'un au moins des éléments suivants : V, Nb, Ta, Mo ;- X comprend l'un au moins des éléments suivants : S, Se.
The invention relates to the use of a material that belongs to the class of lacunar spinels with tetrahedral aggregates of an AM4X8 transition element as the active material for an electronic data non-volatile memory, in which: A includes at least one of the following elements: Ga, Ge, Zn; M includes at least one of the following elements: V, Nb, Ta, Mo; and X includes at least one of the following elements: S, Se. |
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Bibliography: | Application Number: FR20070001819 |