Long distance optical signal transmission semiconductor laser having n type lower layer/quantum well active layer and p type upper layer with lower layer higher refraction index upper covering

The semiconductor laser has a substrate (1) with a lower layer (2) having an n type carrier structure. An active layer (4) forms a quantum well and an upper p type structure (6) is formed. The lower layer has a higher refraction index than the upper covering. Le composant optique semi-conducteur de...

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Main Author LOVISA STEPHANE
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 13.06.2003
Edition7
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
ELECTRICITY
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Summary:The semiconductor laser has a substrate (1) with a lower layer (2) having an n type carrier structure. An active layer (4) forms a quantum well and an upper p type structure (6) is formed. The lower layer has a higher refraction index than the upper covering. Le composant optique semi-conducteur de type laser comprend :. un substrat (1) en un matériau semi-conducteur . une couche de revêtement dite inférieure (2) contenant des porteurs de type n. une couche active (4) formant au moins un puits quantique. une couche de revêtement dite supérieure (6) contenant des porteurs de type p. Pour pouvoir augmenter la puissance d'émission du laser sans augmenter la divergence verticale du faisceau, la couche de revêtement inférieure (2) a un indice de réfraction plus élevé que celui de la couche de revêtement supérieure (6).Application aux lasers de pompage des amplificateurs optiques à fibre.
Bibliography:Application Number: FR20010015775