Process for producing an interconnection configuration made of tungsten

• Main Author: KIM EUI-SONG
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 10.01.1992
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ARTCOLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS

The steps of a process for producing an interconnection configuration made of tungsten are: forming a polysilicon layer (18) on a first insulating layer (12) on a semiconductor substrate (11) and doping impurities; forming a highly-doped oxide layer (19) on the polysilicon layer and then forming a metallic interconnection configuration; carrying out a selective growth of tungsten (15) on an exposed part of the polysilicon layer; stripping the highly-doped oxide layer by wet etching, simultaneously etching a tungsten residue (20) formed on the oxide layer; and dry etching the polysilicon by using the tungsten on the polysilicon as an etching mask, leaving only the polysilicon located beneath the tungsten. The process can solve the problems encountered in the use of tungsten for the interconnection and can increase the speed of semiconductors comprising this interconnection, while providing long-term reliability of the device. Les étapes d'un procédé de réalisation d'une configuration d'interconnexion en tungstène sont: former une couche de polysilicium (18) sur une première couche isolante (12) sur un substrat semi-conducteur (11) et des impuretés de dopage; former une couche d'oxyde fortement dopé (19) sur la couche de polysilicium puis former une configuration métallique d'interconnexion; effectuer une croissance sélective de tungstène (15) sur une partie exposée de la couche de polysilicium; dénuder la couche d'oxyde fortement dopé par gravure humide, graver simultanément un résidu de tungstène (20) formé sur la couche d'oxyde; et graver à sec le polysilicium en utilisant le tungstène sur le polysilicium comme masque de gravure, en ne laissant que le polysilicium situé sous le tungstène. Le procédé peut résoudre les problèmes rencontrés dans l'emploi du tungstène pour l'interconnexion et améliorer la vitesse des semi-conducteurs comportant cette interconnexion, en offrant une fiabilité du dispositif à long terme.