TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GRILLE SCHOTTKY

• Main Author: KAZUHIKO OHMURO ET HIROSHI NAKAMURA
• Format: Patent
• Language: French
• Published: 14.04.1989
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

L'invention concerne la technologie des semi-conducteurs.Dans un transistor MESFET comprenant un canal 3 formé par implantation d'ions donneurs dans la couche de surface d'un substrat en semi-conducteur composé 1, une électrode de grille Schottky 7 sur le canal et des électrodes de source et de drain 6a, 6b de part et d'autre de l'électrode de grille, on forme des première et seconde régions 2, 4 par implantation d'ions qui deviendront des destructeurs de porteurs. Ces régions ont des maximums de concentration dans des parties qui sont respectivement moins profonde et plus profonde que la partie qui correspond au maximum de concentration des ions donneurs du canal.Application aux transistors à l'arséniure de gallium. In a Schottky gate field effect transistor comprising a channel formed by doping donor ions in the surface layer of a compound semiconductor (e.g., GaAs) substrate and performing heat treatment, a Schottky gate electrode formed over the channel, and a source electrode and a drain electrode formed on the respective sides of the Schottky gate electrode, a first and a second regions are formed by implantation of ions which are to become carrier killers, to have respective concentration peaks shallower and deeper than the concentration peak of the donor ions of the channel.