PROCEDE DE FABRICATION D'UN DETECTEUR D'IMAGE LUMINEUSE ET DETECTEUR MATRICIEL BIDIMENSIONNEL OBTENU PAR CE PROCEDE

• Main Authors: FRANCOIS BOULITROP, ERIC CHARTIER, NICOLAS SZYDLO, BERNARD HEPP ET NICOLE PROUST, SZYDLO NICOLAS, HEPP BERNARD, BOULITROP FRANCOIS, CHARTIER ERIC, PROUST NICOLE
• Format: Patent
• Language: French
• Published: 23.01.1987
• Edition: 4
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

LE DETECTEUR SELON L'INVENTION COMPREND, SUR UN SUBSTRAT 1 REVETU D'UNE PREMIERE COUCHE D'UN MATERIAU CONDUCTEUR, UNE MATRICE DE PHOTODIODE E EN FORME DE PLOTS ARRANGES EN LIGNES ET COLONNES ET COMPRENANT CHACUNE UNE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR AMORPHE DOPE D'UN TYPE DETERMINE, UNE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR AMORPHE NON DOPE, UNE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR AMORPHE DOPE D'UN AUTRE TYPE DETERMINE (N OU P), UNE DEUXIEME COUCHE D'UN MATERIAU CONDUCTEUR, CHAQUE PHOTODIODE ETANT ISOLEE DES PHOTODIODES VOISINES PAR UN MATERIAU ISOLANT 7; SUR CELUI-CI DES COLONNES DE MATERIAU CL DISPOSEES SELON LES COLONNES DES PHOTODIODES E ET COMPRENANT CHACUNE UNE COUCHE D'UN MATERIAU METALLIQUE 8L ET UNE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR AMORPHE DOPE 9L; DES ELEMENTS DE CONNEXION CX CONNECTES CHACUN A UNE PHOTODIODE E PAR LA COUCHE DE MATERIAU CONDUCTEUR DE LA PHOTODIODE, SITUES A PROXIMITE D'UNE COLONNE CL ET COMPRENANT CHACUN UNE COUCHE DE MATERIAU METALLIQUE 8X ET UNE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR AMORPHE DOPE 9X; ET DES LIGNES DE MATERIAU LG DISPOSEES SELON LES LIGNES DES PHOTODIODES E, CHEVAUCHANT LES COLONNES CL AINSI QU'AU MOINS UN ELEMENT DE CONNEXION CX A CHAQUE POINT DE CROISEMENT D'UNE LIGNE LG ET D'UNE COLONNE CL, CHAQUE LIGNE COMPRENANT UNE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR AMORPHE NON DOPE 10, UNE COUCHE D'ISOLANT 11 ET UNE COUCHE DE MATERIAU METALLIQUE 12. In a light image detector, a substrate is covered with a first layer of conductive material on which is formed a two-dimensional matrix array of photodiodes in the form of pads arranged in rows and columns and each comprising a layer of amorphous semiconductor material doped with a predetermined type (n-type or p-type), a layer of undoped amorphous semiconductor material, a layer of amorphous semiconductor material doped with another predetermined type (n-type or p-type), a second layer of conductive material, each photodiode being insulated from adjacent photodiodes by means of insulating material. On the insulating material, columns of material are disposed along the columns of photodiodes and are each formed by a layer of metallic material and a layer of doped amorphous semiconductor material. Connection elements are each connected to a photodiode through the layer of conductive material of the photodiode, are located in proximity to a column and each formed by a layer of metallic material and a layer of doped amorphous semiconductor material. Rows of material are disposed along the lines of photodiodes and overlap the columns as well as at least one connection element at each point of intersection of a row and a column. Each row is formed by a layer of undoped amorphous semiconductor material, an insulating layer and a layer of metallic material.