PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR

PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR, SUIVANT LEQUEL ON FAIT SUBIR A UNE COUCHE 4 ELABOREE SUR UN SUBSTRAT 1 ET LOCALEMENT RECOUVERTE D'UNE COUCHE DE LAQUE ORGANIQUE 5 UNE ATTAQUE CHIMIQUE CONSISTANT A METTRE LA COUCHE 4 EN CONTACT AVEC DES COMPOSANTS D'UN PLASMA QUI...

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Main Author FRANCISCUS HUBERTUS MARIE SANDERS, JOSEF ALPHONS MARIE SANDERS ET JAN DIELEMANS
Format Patent
LanguageFrench
Published 15.01.1982
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR, SUIVANT LEQUEL ON FAIT SUBIR A UNE COUCHE 4 ELABOREE SUR UN SUBSTRAT 1 ET LOCALEMENT RECOUVERTE D'UNE COUCHE DE LAQUE ORGANIQUE 5 UNE ATTAQUE CHIMIQUE CONSISTANT A METTRE LA COUCHE 4 EN CONTACT AVEC DES COMPOSANTS D'UN PLASMA QUI EST FORME DANS UN MELANGE GAZEUX CONTENANT UN COMPOSE HALOGENE ET UN COMPOSE D'OXYGENE. PAR L'ADDITION A CE MELANGE GAZEUX DE 1 A 15 EN VOLUME DE CO, LA VITESSE A LAQUELLE LA COUCHE DE LAQUE 5 ORGANIQUE EST ELIMINEE PAR LES COMPOSANTS DU PLASMA EST SENSIBLEMENT SUPPRIMEE.APPLICATION: FABRICATION DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS.
Bibliography:Application Number: FR19810013548