DISPOSITIF POUR JOINDRE ELECTRIQUEMENT LES EXTREMITES D'UN PREMIER GROUPE DE LIGNES A SEMI-CONDUCTEUR SENSIBLEMENT PARALLELES, AUX EXTREMITES ADJACENTES D'UN SECOND GROUPE DE LIGNES A SEMI-CONDUCTEUR, SENSIBLEMENT PARALLELES ET EN NOMBRE EGAL

• Main Author: ROGER GREEN STEWART ET MOSHE MAZIN
• Format: Patent
• Language: French
• Published: 31.07.1981
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; STATIC STORES

L'INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF POUR JOINDRE ELECTRIQUEMENT LES EXTREMITES D'UN PREMIER GROUPE DE LIGNES A SEMI-CONDUCTEUR SENSIBLEMENT PARALLELES AUX EXTREMITES ADJACENTES D'UN SECOND GROUPE DE LIGNES A SEMI-CONDUCTEUR SENSIBLEMENT PARALLELES ET EN NOMBRE EGAL.SELON L'INVENTION, UN CERTAIN NOMBRE DE CONTACTS EN METAL 44A-44D, DONT CHACUN RECOUVRE LES EXTREMITES ADJACENTES D'UNE LIGNE DE CHAQUE GROUPE 32A-32B SONT DISPOSES EN QUINCONCE DANS LA DIRECTION DANS LAQUELLE LES LIGNES PARALLELES S'ETENDENT AFIN DE PERMETTRE A CES CONTACTS 44A-44D DE RECOUVRIR LES EXTREMITES DES LIGNES TOUT EN OCCUPANT L'ESPACE MINIMUM NECESSAIRE DANS UNE DIRECTION SENSIBLEMENT PARALLELE A CELLE DANS LAQUELLE LES LIGNES S'ETENDENT.L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT AUX MEMOIRES MORTES A CIRCUIT INTEGRE. A series of staggered metal contacts, 44a-44d, 50a-50d is used to join adjacent ends of adjacent sets of substantially parallel semiconductor lines 32a-32d, 42a-42d, 52a-52d. The lines of one set can have a conductivity type opposite that of the lines of the adjacent set. Also, one of the sets may comprise epitaxial silicon, grown on an insulating substrate such as sapphire, while the other set comprises polycrystalline silicon. In a ROM the lines belong respectively to a memory array 12, a word predecoder 18 and a word line deselector 17. Word line extensions 42a-42d of P + type epitaxial Si are connected to word lines 32a-32d of N + polycrystalline Si and these are connected to word line extensions 52a-52d of P + epitaxial Si.