CIRCUIT INTEGRE MONOLITHIQUE EQUIVALENT A UN TRANSISTOR ASSOCIE A TROIS DIODES ANTI-SATURATION
LA PRESENTE INVENTION CONCERNE UN CIRCUIT INTEGRE MONOLITHIQUE EQUIVALENT A UN TRANSISTOR ASSOCIE A TROIS DIODES ANTI-SATURATION ET SON PROCEDE DE FABRICATION.CE CIRCUIT INTEGRE COMPREND UNE STRUCTURE NPN SENSIBLEMENT IDENTIQUE A CELLE D'UN MONTAGE DARLINGTON. LA PARTIE SUPERIEURE DE LA STRUCTU...
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Format | Patent |
Language | French |
Published |
02.01.1981
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