CIRCUIT INTEGRE MONOLITHIQUE EQUIVALENT A UN TRANSISTOR ASSOCIE A TROIS DIODES ANTI-SATURATION

LA PRESENTE INVENTION CONCERNE UN CIRCUIT INTEGRE MONOLITHIQUE EQUIVALENT A UN TRANSISTOR ASSOCIE A TROIS DIODES ANTI-SATURATION ET SON PROCEDE DE FABRICATION.CE CIRCUIT INTEGRE COMPREND UNE STRUCTURE NPN SENSIBLEMENT IDENTIQUE A CELLE D'UN MONTAGE DARLINGTON. LA PARTIE SUPERIEURE DE LA STRUCTU...

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Main Author JEAN-BAPTISTE QUOIRIN
Format Patent
LanguageFrench
Published 02.01.1981
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:LA PRESENTE INVENTION CONCERNE UN CIRCUIT INTEGRE MONOLITHIQUE EQUIVALENT A UN TRANSISTOR ASSOCIE A TROIS DIODES ANTI-SATURATION ET SON PROCEDE DE FABRICATION.CE CIRCUIT INTEGRE COMPREND UNE STRUCTURE NPN SENSIBLEMENT IDENTIQUE A CELLE D'UN MONTAGE DARLINGTON. LA PARTIE SUPERIEURE DE LA STRUCTURE EST TRAITEE POUR DIMINUER LE GAIN EN COURANT JUSQU'A DES VALEURS INFERIEURES A 1 DANS LES ZONES AUTRES QUE LA ZONE D'EMETTEUR 6. ON OBTIENT AINSI POUR LE TRANSISTOR D'ENTREE UN GAIN INFERIEUR A L'UNITE.APPLICATION AUX TRANSISTORS DE PUISSANCE UTILISABLES EN COMMUTATION.
Bibliography:Application Number: FR19790014996