High-frequency electronic module

• Main Authors: LAMMINEN, Antti, RANTAKARI, Pekka, ERMOLOV, Vladimir, SAARILAHTI, Jaakko
• Format: Patent
• Language: English; Finnish; Swedish
• Published: 27.10.2022
• Subjects: AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION, OR STABILISATIONOF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; HOROLOGY; PHYSICS; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE; SEMICONDUCTOR DEVICES; TIME-INTERVAL MEASURING; WAVEGUIDES

Korkean taajuuden elektroniikkamoduuli joka sisältää ensimmäisen piikiekon (111, 211, 311) aaltojohteella (12, 22, 32, 42), toisen piikiekon (112, 212, 312, 412) joka on kiinnitetty ensimmäisen piikiekon päälle ja sähköpiirin (361, 362, 461, 462) toisen piikiekon yläpinnalla (1121). Korkean taajuuden elektroniikkamoduuli sisältää myös ensimmäiset (341, 441) ja toiset (342, 442) sähköiset läpiviennit jotka ulottuvat sähköpiiristä toisen piikiekon läpi ja ensimmäisen (351, 451) ja toisen (352, 452) säteilyä kytkevän koettimen jotka ulottuvat läpivienneistä aaltojohteeseen. A high-frequency electronic module comprising a first silicon wafer (111, 211, 311) with a waveguide (12, 22, 32, 42), a second silicon wafer (112, 212, 312, 412) attached on top of the first silicon wafer and an electric circuit (361, 362, 461, 462) on the top surface (1121) of the second silicon wafer. The high-frequency electronic module also comprises first (341, 441) and second (342, 442) electric vias which extend from the electric circuit through the second silicon wafer and first (351, 451) and second (352, 452) radiationcoupling probes which extend from the first and second electric vias into the waveguide.