Procedimientos y aparatos para fabricar obleas semiconductoras delgadas con regiones controladas localmente que son relativamente más gruesas que otras regiones

• Main Authors: LORENZ, Adam L, WALLACE, Richard L, HUDELSON, G. D. Stephen, SACHS, Emanuel M, JONCZYK, Ralf
• Format: Patent
• Language: Spanish
• Published: 14.10.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Un procedimiento de fabricación de una oblea semiconductora (100), comprendiendo el procedimiento los pasos de: a. proporcionar un material semiconductor fundido que tenga una superficie; b. proporcionar una plantilla (1200), que comprende un cuerpo poroso que comprende: i. una superficie de fusión (1256); ii. ii. una superficie trasera; iii. una primera región de plantilla (1220) que tiene una primera propensión a la extracción de calor; iv. una segunda región de plantilla (1230) que tiene una segunda propensión a la extracción de calor, que es mayor que la primera propensión a la extracción de calor; c. proporcionar un régimen de presión diferencial tal que la presión en al menos una parte de la superficie de fusión (1256) sea menor que la presión en la superficie del material semiconductor fundido; y d. poner en contacto la superficie de fusión (1256) de la plantilla con la superficie del material semiconductor fundido durante al menos una parte de la duración del contacto, durante la cual la superficie de fusión (1256) y el material semiconductor fundido están en contacto entre sí, y se proporciona el régimen de presión diferencial, de manera que un cuerpo de material semiconductor, se solidifica sobre la superficie de fusión (1256), cuyo cuerpo formado comprende: i. una primera región de cuerpo más delgada, que tiene un primer grosor promedio de cuerpo más delgado, habiéndose formado la primera región de cuerpo más delgada adyacente a la primera región de la plantilla (1220); y ii. una segunda región del cuerpo, más gruesa, que tiene un segundo grosor promedio del cuerpo más grueso, habiendo formado la segunda región del cuerpo adyacente a la segunda región de la plantilla (1230), siendo el segundo grosor promedio del cuerpo mayor que el primer grosor del cuerpo. Semi-conductor wafers with thin and thicker regions at controlled locations may be for Photovoltaics. The interior may be less than 180 microns or thinner, to 50 microns, with a thicker portion, at 180-250 microns. Thin wafers have higher efficiency. A thicker perimeter provides handling strength. Thicker stripes, landings and islands are for metallization coupling. Wafers may be made directly from a melt upon a template with regions of different heat extraction propensity arranged to correspond to locations of relative thicknesses. Interstitial oxygen is less than 6×1017 atoms/cc, preferably less than 2×1017, total oxygen less than 8.75×1017 atoms/cc, preferably less than 5.25×1017. Thicker regions form adjacent template regions having relatively higher heat extraction propensity; thinner regions adjacent regions with lesser extraction propensity. Thicker template regions have higher extraction propensity. Functional materials upon the template also have differing extraction propensities.