Procedimiento para la producción de un silicio policristalino

• Main Authors: WOLF, REINHARD, HAECKL, WALTER DR, HESSE, KARL, HOEBOLD, WILHELM
• Format: Patent
• Language: Spanish
• Published: 30.10.2013
• Subjects: CHEMISTRY; COMPOUNDS THEREOF; INORGANIC CHEMISTRY; METALLURGY; NON-METALLIC ELEMENTS

Procedimiento para la purificación de un silicio policristalino, en el que, por introducción de unos gases dereacción que contienen un componente, que contiene silicio, e hidrógeno, se deposita silicio en unos reactores, en elque un material condensado purificado, procedente de un primer proceso de deposición en un primer reactor, seaporta a un segundo reactor, y se utiliza en un segundo proceso de deposición en ese segundo reactor,caracterizado porque el primer y el segundo reactores comprenden en cada caso un circuito de hidrógeno separadoy el hidrógeno no consumido en los procesos de deposición se purifica en cada caso y se devuelve de retorno alcorrespondiente circuito de hidrógeno. Producing polycrystalline silicon, comprises introducing reaction gases comprising a silicon-containing component and hydrogen into reactors to deposit silicon, where a purified condensate from a first deposition process in a first reactor is supplied to a second reactor, and is used in a second deposition process in the second reactor. An independent claim is included for granular polycrystalline silicon comprising = 30 parts per billion atoms (ppba) of carbon and >= 5 parts per million weight (ppmw) of chlorine.