MATRIX DEVICE FOR IMAGE SENSOR, COMPRISING THIN-FILM TRANSISTORS AND ORGANIC PHOTODIODES

• Main Authors: BALLOT, Noémie, BLANCHON, David, FEI, Richun
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 15.03.2023
• Subjects: ELECTRICITY

L'invention concerne un dispositif électrooptique pour capteur d'image matriciel, à transistors Ts en couches minces et détecteurs organiques qui intègre un circuit 20 de pilotage de lignes, à transistors Tg en couches minces dans une zone périphérique ZP. On prévoit un écran de lumière sur le niveau topologique 201 porté par la couche diélectrique 105 au-dessus des transistors en couches minces, qui sont des écrans individuels LSi,j, pour chaque pixel dans la zone de matrice 10, et un écran global LSGOA pour tous les transistors Tg du circuit de pilotage. L'écran global LSGOA en zone périphérique sert en outre de structure d'interconnexion pour polariser l'électrode supérieure E2 des photodiodes organiques de la zone active, à la tension de polarisation Vbias, par un recouvrement en contact direct. Dans la zone active, le niveau 203 d'électrode supérieure E2 est séparé du niveau 201 d'électrode pixel E1 par la structure active organique OST. Dans la zone périphérique, on retrouve ces deux niveaux topologiques 201 et 203, sont formés directement l'un sur l'autre, sans interposition. An electro-optical device for a matrix image sensor, has thin-film transistors and organic detectors, which integrates a line driver circuit, with thin-film transistors in a peripheral area. A light screen is provided on a topological level supported by a dielectric layer above the thin-film transistors, which are individual screens, for each pixel in a matrix area, and a general screen for all the transistors of the driver circuit. The general screen in the peripheral area is further used as an interconnection structure to bias an upper electrode of the organic photodiodes of an active area to a bias voltage, by an overlapping in direct contact. In the active area, a topological level of the upper electrode is separated from the topological level of a pixel electrode by an active organic structure. In the peripheral area, these two topological levels are present and formed directly on each other, with no interposition.