METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFERS WITH EPITAXIAL COATING IN A CHAMBER OF A DEPOSITION REACTOR

• Main Authors: Edmaier, Walter, Hecht, Hannes, Lauer, Michael, Lichtenegger, Korbinian
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 14.09.2022
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; CRYSTAL GROWTH; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben mit epitaktischer Schicht in einer Kammer eines Abscheidereaktors einer Anlage, umfassenddas wiederholte Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe in der Kammer des Abscheidereaktors, wobei eine erste Anzahl von Halbleiterscheiben mit epitaktischer Schicht entsteht, und währenddessendas Konditionieren einer Ersatzkammer des Abscheidereaktors außerhalb der Anlage durch Spülen der Ersatzkammer mit einem Spülgas;das Unterbrechen des wiederholten Abscheidens einer epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe;das Ersetzen der Kammer durch die Ersatzkammer; unddas Fortsetzen des wiederholten Abscheidens einer epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe in der Ersatzkammer des Abscheidereaktors, wobei eine zweite Anzahl von Halbleiterscheiben mit epitaktischer Schicht entsteht. A method produces semiconductor wafers in a chamber of a deposition reactor of a plant. The method includes: repeatedly depositing an epitaxial layer on a substrate wafer in the chamber, producing semiconductor wafers, and at the same time: conditioning a replacement chamber outside the plant by purging the replacement chamber with a purge gas; interrupting the deposition of the epitaxial layer; replacing the chamber with the replacement chamber, after the conditioning, the replacement chamber being sealed and transported in a closed state to the plant or after the conditioning, the replacement chamber is transported to the plant and in this process purge gas is passed through the replacement chamber; and continuing the deposition of the epitaxial layer in the replacement chamber, producing a second number of semiconductor wafers.