DEVICE AND METHOD FOR DEPOSITING A LAYER OF SEMICONDUCTOR MATERIAL ON A SUBSTRATE WAFER

• Main Author: Hecht, Hannes
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 16.02.2022
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; CRYSTAL GROWTH; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht aus Halbleitermaterial auf einer Substratscheibe, umfassendeinen Grundring zwischen einer oberen und einer unteren Kuppel; einen Suszeptor als Träger der Substratscheibe während des Abscheidens der Schicht;einen Gaseinlass und einen Gasauslass, eine Abgasleitung sowie Gaszuleitungen zum Leiten von Prozessgas über eine obere Seitenfläche der Substratscheibe;ein Schlitzventil-Tunnel und eine Schlitzventil-Türe; undeine Hub- und Rotationseinrichtung zum Heben und Drehen des Suszeptors und der Substratscheibe,dadurch gekennzeichnet, dass ein oder mehrere Bestandteile der Vorrichtung, die aus Edelstahl bestehen von einer amorphen Schicht bedeckt sind, die Silizium und Wasserstoff enthält. An apparatus for depositing a layer of semiconductor material on a substrate wafer. The apparatus includes a base ring between an upper and a lower dome, a susceptor as carrier of the substrate wafer during the deposition of the layer, a gas inlet and a gas outlet, an outgoing gas line and gas supply lines for passing process gas over an upper side face of the substrate wafer, a slit valve tunnel and a slit valve door, and a lifting and rotating unit for lifting and turning the susceptor and the substrate wafer. The apparatus also including an amorphous layer including silicon and hydrogen disposed over one or more stainless steel components of the apparatus.